Sammansättningen varierar starkt och strukturerna är komplicerade. Aluminium-, gallium- och indiumarseniderna (AlAs, GaAs och InAs) är tekniskt viktiga halvledare. De dopas ofta med små mängder av ett tredje ämne, t.ex. fosfor, och används för omvandling av elektrisk energi till ljusenergi i t.ex. lysdioder och inom lasertekniken. Omvänt kan de användas