molekylstråleepitaxi
molekyʹlstråleepitaxiʹ, molecular beam epitaxi , MBE, tillväxt av en enkristall som åstadkoms genom att strålar av atomer (molekyler) fås att reagera på en uppvärmd kristallyta.
Om ytans kristallina periodicitet bevaras kallas tillväxten epitaxiell (jämför epitaxi). I MBE placeras en tunn kristallskiva (t.ex. av halvledarmaterialet galliumarsenid) av renhetsskäl i en ultrahögvakuumkammare. Mot provet riktas molekylstrålar från källor innehållande t.ex. gallium och arsenik i fast eller flytande formfas (jämför molekylstråle). Med rätta betingelser avseende yttemperatur och sammansättning
Information om artikeln
Källangivelse