molekylstråleepitaxi
molekyʹlstråleepitaxiʹ, molecular beam epitaxi , MBE, tillväxt av en enkristall som åstadkoms genom att strålar av atomer (molekyler) fås att reagera på en uppvärmd kristallyta.
Om ytans kristallina periodicitet bevaras kallas tillväxten epitaxiell (jämför epitaxi). I MBE placeras en tunn kristallskiva (t.ex. av halvledarmaterialet galliumarsenid) av renhetsskäl i en ultrahögvakuumkammare. Mot provet riktas molekylstrålar från källor innehållande t.ex. gallium och arsenik i fast eller flytande formfas (jämför molekylstråle). Med rätta betingelser avseende yttemperatur och sammansättning
Källangivelse
Vill du komma åt hela artikeln?
Objektiv och pålitlig kunskap.
Prova det, du kommer att gilla det!
Marknadsledare i Sverige.